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M6MGB166S2BWG-90

产品描述Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA72, 0.80 MM PITCH, CSP-72
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文件大小248KB,共30页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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M6MGB166S2BWG-90概述

Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA72, 0.80 MM PITCH, CSP-72

M6MGB166S2BWG-90规格参数

参数名称属性值
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数72
Reach Compliance Codeunknown
其他特性COMBINATION OF 3.3V FLASH MEM & SRAM IN -CSP; ACCESS TIME FOR FLASH MEM IS 90NS & FOR SRAM 85 NS
JESD-30 代码R-PBGA-B72
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
功能数量1
端子数量72
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-20 °C
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
Base Number Matches1

M6MGB166S2BWG-90相似产品对比

M6MGB166S2BWG-90 M6MGT166S2BWG-90
描述 Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA72, 0.80 MM PITCH, CSP-72 Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA72, 0.80 MM PITCH, CSP-72
零件包装代码 BGA BGA
包装说明 BGA, BGA,
针数 72 72
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 COMBINATION OF 3.3V FLASH MEM & SRAM IN -CSP; ACCESS TIME FOR FLASH MEM IS 90NS & FOR SRAM 85 NS COMBINATION OF 3.3V FLASH MEM & SRAM IN -CSP; ACCESS TIME FOR FLASH MEM IS 90NS & FOR SRAM 85 NS
JESD-30 代码 R-PBGA-B72 R-PBGA-B72
内存密度 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT
内存宽度 16 16
功能数量 1 1
端子数量 72 72
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -20 °C -20 °C
组织 1MX16 1MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER
端子形式 BALL BALL
端子位置 BOTTOM BOTTOM

 
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