Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA77, 8 X 10 MM, LEAD FREE, FBGA-77
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, BGA77,8X10,32 |
| 针数 | 77 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| 其他特性 | CELLULAR RAM IS ORGANIZED AS 1M X 16 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B77 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 10 mm |
| 内存密度 | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度 | 16 |
| 混合内存类型 | FLASH+SRAM |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 77 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C |
| 组织 | 4MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装等效代码 | BGA77,8X10,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 1.8,2.5/3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.000115 A |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 8 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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