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MWT-1HG

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小207KB,共4页
制造商IXYS
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MWT-1HG概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET,

MWT-1HG规格参数

参数名称属性值
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N4
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
最小漏源击穿电压7 V
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带X BAND
JESD-30 代码R-XUUC-N4
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)9 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1

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