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MG15N6ES1

产品描述TRANSISTOR 15 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, 2-72A3A, 17 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小170KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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MG15N6ES1概述

TRANSISTOR 15 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, 2-72A3A, 17 PIN, Insulated Gate BIP Transistor

MG15N6ES1规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17
针数17
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH SPEED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压1000 V
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-PUFM-D17
元件数量6
端子数量17
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)1000 ns
标称接通时间 (ton)400 ns
Base Number Matches1
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