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MWI35-12AS

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 37A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小29KB,共1页
制造商IXYS
标准  
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MWI35-12AS概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 37A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,

MWI35-12AS规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-P17
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)37 A
集电极-发射极最大电压1200 V
JESD-30 代码R-PUFM-P17
JESD-609代码e3
端子数量17
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层PURE TIN
端子形式PIN/PEG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

MWI35-12AS相似产品对比

MWI35-12AS MWI75-12AS
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 37A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, Insulated Gate Bipolar Transistor, 73A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
是否无铅 不含铅 不含铅
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PUFM-P17 FLANGE MOUNT, R-PUFM-P17
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 37 A 73 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V
JESD-30 代码 R-PUFM-P17 R-PUFM-P17
JESD-609代码 e3 e3
端子数量 17 17
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 PURE TIN PURE TIN
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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