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IXFN20N120

产品描述Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1200V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIBLOC-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小567KB,共4页
制造商IXYS
标准  
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IXFN20N120概述

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1200V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIBLOC-4

IXFN20N120规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)2000 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压1200 V
最大漏极电流 (ID)20 A
最大漏源导通电阻0.75 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PUFM-X4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)80 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Nickel (Ni)
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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