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IR-M011: 产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, L Band, Gallium Arsenide, Metal Semiconductor FET, SOP-8; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小47KB，共1页; 制造商SHARP; 官网地址http://sharp-world.com/products/device/

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IR-M011概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, L Band, Gallium Arsenide, Metal Semiconductor FET, SOP-8

IR-M011规格参数

参数名称	属性值
包装说明	SOP-8
Reach Compliance Code	unknown
FET 技术	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带	L BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
端子数量	8
工作模式	DEPLETION MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches	1

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	IR-M011	IR-H001J	IR-M012N4	IR-M010	IR-H002J	IR-H006J	IR-H003J	IR-H005J
描述	RF Small Signal Field-Effect Transistor, L Band, Gallium Arsenide, Metal Semiconductor FET, SOP-8	RF Small Signal Field-Effect Transistor, X Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, CERAMIC PACKAGE-4	SPDT, 1000MHz Min, 2000MHz Max, 1dB Insertion Loss-Max, SOP, 8 PIN	RF Small Signal Field-Effect Transistor, L Band, Gallium Arsenide, Metal Semiconductor FET, SOP-8	RF Small Signal Field-Effect Transistor, X Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, CERAMIC PACKAGE-4	RF Small Signal Field-Effect Transistor, L Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, CERAMIC PACKAGE-4	RF Small Signal Field-Effect Transistor, X Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, CERAMIC PACKAGE-4	RF Small Signal Field-Effect Transistor, X Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, CERAMIC PACKAGE-4
包装说明	SOP-8	CERAMIC PACKAGE-4	SOP, 8 PIN	SOP-8	CERAMIC PACKAGE-4	CERAMIC PACKAGE-4	CERAMIC PACKAGE-4	CERAMIC PACKAGE-4
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
FET 技术	METAL SEMICONDUCTOR	HIGH ELECTRON MOBILITY	-	METAL SEMICONDUCTOR	HIGH ELECTRON MOBILITY	HIGH ELECTRON MOBILITY	HIGH ELECTRON MOBILITY	HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带	L BAND	X BAND	-	L BAND	X BAND	L BAND	X BAND	X BAND
工作模式	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE	-	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE	SILICON	-	GALLIUM ARSENIDE	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-	-
最小漏源击穿电压	-	2.9 V	-	-	2.9 V	2.9 V	2.9 V	3.5 V
最大漏极电流 (ID)	-	0.08 A	-	-	0.08 A	0.08 A	0.08 A	0.08 A
极性/信道类型	-	N-CHANNEL	-	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)	-	10.5 dB	-	-	10.5 dB	16 dB	10 dB	9 dB

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