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RJU60C6SDPK-M0-T0

产品描述30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-3PSG, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小168KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准  
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RJU60C6SDPK-M0-T0概述

30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-3PSG, 3 PIN

RJU60C6SDPK-M0-T0规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-3PSG
包装说明R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)2 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流140 A
元件数量1
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流30 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Preliminary
Datasheet
RJU60C6SDPK-M0
Single Diode
Fast Recovery Diode
Features
Fast reverse recovery time: t
rr
= 100 ns typ. (at I
F
= 30 A, di/dt =
−100
A/μs)
Low forward voltage: V
F
= 1.4 V typ. (at I
F
= 50 A)
Low reverse current: I
R
= 1
μA
max. (at V
R
= 600 V)
R07DS0378EJ0100
Rev.1.00
Apr 26, 2011
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZH-A
(Package name: TO-3PSG)
4
2, 4
1.
2.
3.
4.
Anode
Cathode
Anode
Cathode
1
1
2
3
3
Absolute Maximum Ratings
(Tc = 25°C)
Item
Maximum reverse voltage
Average rectified forward current
Continuous forward current
Tc = 25°C
Tc = 100°C
Peak surge forward current
Junction to case thermal resistance
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
Io
I
F
I
F
I
FSM
θj-cd
Tj
Tstg
Ratings
600
30
50
25
140
2.0
150
–55 to +150
Unit
V
A
A
A
A
°C
/W
°C
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Forward Voltage
Reverse current
Reverse Recovery Time
Symbol
VF
IR
trr
Min
Typ
1.4
100
Max
2.0
1
Unit
V
μA
ns
Test conditions
I
F
= 50 A
V
R
= 600 V
I
F
= 30 A, di/dt = –100 A/μs
R07DS0378EJ0100 Rev.1.00
Apr 26, 2011
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