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SGP6N60UFDTU

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共11页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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SGP6N60UFDTU概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

SGP6N60UFDTU规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
最大集电极电流 (IC)6 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)202 ns
标称接通时间 (ton)54 ns
Base Number Matches1
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