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RD4.3EB

产品描述Zener Diode, 4.29V V(Z), 5.59%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, GLASS, DHD, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小98KB,共12页
制造商NEC(日电)
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RD4.3EB概述

Zener Diode, 4.29V V(Z), 5.59%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, GLASS, DHD, 2 PIN

RD4.3EB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-35
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压4.29 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5.59%
工作测试电流20 mA
Base Number Matches1

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DATA SHEET
ZENER DIODES
RD2.0E to RD200E
500 mW DHD ZENER DIODE
(DO-35)
DESCRIPTION
NEC Type RD2.0E to RD200E Series are planar type zener diode in the
popular DO-35 package with DHD (Double Heatsink Diode) construction
having allowable power dissipation of 500 mW. To meet various application
at customers, V
z
(zener voltage) is classified into the tight tolerance under
the specific suffix (B, B1 to B7).
PACKAGE DIMENSIONS
(in millimeters)
φ
0.5
25 MIN.
Cathode
indication
• DHD (Double Heatsink Diode) Construction
• V
z
: Applied E24 standard (RD130E to RD200E: 10 volts step)
• DO-35 Glass sealed package
φ
2.0 MAX.
25 MIN.
ORDER INFORMATION
RD2.0 E to RD39E with suffix “B1”, “B2”, “B3”, “B4”, “B5”, “B6” or “B7”
should be applied for orders for suffix “B”.
APPLICATIONS
Circuits for Constant Voltage, Constant Current, Waveform Clipper, Surge absorber, etc.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 ˚C)
Forward Current
Power Dissipation
Surge Reverse Power
Junction Temperature
Storage Temperature
I
F
P
P
RSM
T
j
T
stg
200 mA
500 mW
100 W (t = 10
µ
s)
175 ˚C
–65 to +175 ˚C
to see Fig. 17
Document No. D10213EJ5V0DS00 (5th edition)
Date Published December 1998 N CP(K)
Printed in Japan
©
4.2 MIN.
FEATURES
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