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NE02133-T2

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小539KB,共14页
制造商California Eastern Labs
官网地址http://www.cel.com/
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NE02133-T2概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

NE02133-T2规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.07 A
基于收集器的最大容量1 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最小功率增益 (Gp)12 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4500 MHz
Base Number Matches1

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描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 DISK BUTTON, O-CRDB-F4 DISK BUTTON, O-CRDB-F4 DISK BUTTON, O-CRDB-F4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.07 A 0.07 A 0.07 A 0.07 A 0.07 A 0.07 A 0.07 A 0.07 A 0.07 A
集电极-发射极最大电压 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 40 40 20 20 20 20 20
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND L BAND L BAND L BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G4 R-PDSO-G3 R-PDSO-G4 O-CRDB-F4 O-CRDB-F4 O-CRDB-F4 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 4 3 4 4 4 4 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 200 °C 200 °C 200 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR ROUND ROUND ROUND RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
最小功率增益 (Gp) 12 dB 12 dB 12 dB 12 dB 12 dB 12 dB 12 dB 12 dB 12 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING FLAT FLAT FLAT GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL RADIAL RADIAL RADIAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 4500 MHz 4500 MHz 4500 MHz 4500 MHz 4500 MHz 4500 MHz 4500 MHz 4500 MHz 4500 MHz
基于收集器的最大容量 1 pF - 1 pF - 1 pF 1 pF 1 pF - -
厂商名称 - California Eastern Labs California Eastern Labs California Eastern Labs California Eastern Labs California Eastern Labs California Eastern Labs California Eastern Labs California Eastern Labs
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