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MA4E930D

产品描述SILICON, ZERO BARRIER SCHOTTKY,K BAND, MIXER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小108KB,共5页
制造商TE Connectivity(泰科)
官网地址http://www.te.com
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MA4E930D概述

SILICON, ZERO BARRIER SCHOTTKY,K BAND, MIXER DIODE

MA4E930D规格参数

参数名称属性值
包装说明O-XEMW-N2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带K BAND
JESD-30 代码O-XEMW-N2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
脉冲输入最大功率0.1 W
脉冲输入功率最小值0.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式NO LEAD
端子位置END
肖特基势垒类型ZERO BARRIER
Base Number Matches1

 
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