TLE2062BMFK放大器基础信息:
TLE2062BMFK是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, LCC-20
TLE2062BMFK放大器核心信息:
TLE2062BMFK的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.03 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,TLE2062BMFK的标称压摆率有3.4 V/us。厂商给出的TLE2062BMFK的最大压摆率为0.73 mA,而最小压摆率为1.8 V/us。其最小电压增益为7000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,TLE2062BMFK增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1300 kHz。
TLE2062BMFK的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为-5 V。TLE2062BMFK的输入失调电压为5000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
TLE2062BMFK的相关尺寸:
TLE2062BMFK的宽度为:8.89 mm,长度为8.89 mmTLE2062BMFK拥有20个端子.其端子位置类型为:QUAD。端子节距为1.27 mm。共有针脚:20
TLE2062BMFK放大器其他信息:
TLE2062BMFK采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。TLE2062BMFK的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。
其属于微功率放大器。TLE2062BMFK不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:S-CQCC-N20。TLE2062BMFK的封装代码是:QCCN。TLE2062BMFK封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。
而其封装形状为SQUARE。TLE2062BMFK封装引脚的形式有:CHIP CARRIER。其端子形式有:NO LEAD。座面最大高度为2.03 mm。
TLE2062BMFK放大器基础信息:
TLE2062BMFK是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, LCC-20
TLE2062BMFK放大器核心信息:
TLE2062BMFK的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.03 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,TLE2062BMFK的标称压摆率有3.4 V/us。厂商给出的TLE2062BMFK的最大压摆率为0.73 mA,而最小压摆率为1.8 V/us。其最小电压增益为7000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,TLE2062BMFK增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1300 kHz。
TLE2062BMFK的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为-5 V。TLE2062BMFK的输入失调电压为5000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
TLE2062BMFK的相关尺寸:
TLE2062BMFK的宽度为:8.89 mm,长度为8.89 mmTLE2062BMFK拥有20个端子.其端子位置类型为:QUAD。端子节距为1.27 mm。共有针脚:20
TLE2062BMFK放大器其他信息:
TLE2062BMFK采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。TLE2062BMFK的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。
其属于微功率放大器。TLE2062BMFK不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:S-CQCC-N20。TLE2062BMFK的封装代码是:QCCN。TLE2062BMFK封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。
而其封装形状为SQUARE。TLE2062BMFK封装引脚的形式有:CHIP CARRIER。其端子形式有:NO LEAD。座面最大高度为2.03 mm。
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | QLCC |
包装说明 | CERAMIC, LCC-20 |
针数 | 20 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.03 µA |
最小共模抑制比 | 65 dB |
标称共模抑制比 | 82 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电压 | 5000 µV |
JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 |
长度 | 8.89 mm |
低-偏置 | YES |
低-失调 | NO |
微功率 | YES |
负供电电压上限 | -19 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -5 V |
功能数量 | 2 |
端子数量 | 20 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | QCCN |
封装等效代码 | LCC20,.35SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | +-5/+-15 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.03 mm |
最小摆率 | 1.8 V/us |
标称压摆率 | 3.4 V/us |
最大压摆率 | 0.73 mA |
供电电压上限 | 19 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 1300 kHz |
最小电压增益 | 7000 |
宽度 | 8.89 mm |
Base Number Matches | 1 |
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