KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
KU波段, 砷化镓, N沟道, 射频小信号, HEMFET
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | AVAGO |
| 零件包装代码 | SC-70 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数 | 6 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 3 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.04 A |
| FET 技术 | HIGH ELECTRON MOBILITY |
| 最高频带 | KU BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 6 |
| 工作模式 | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 0.18 W |
| 最小功率增益 (Gp) | 9.4 dB |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
| ATF-36163-TR2G | ATF-36163-BLKG | ATF-36163 | ATF-36163-TR1G | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET | 1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | , | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code | compli | compli | compli | compli |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.04 A | 0.04 A | 0.04 A | 0.04 A |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | NOT SPECIFIED | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 0.18 W | 0.18 W | 0.18 W | 0.18 W |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 零件包装代码 | SC-70 | SC-70 | - | SC-70 |
| 针数 | 6 | 6 | - | 6 |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE | LOW NOISE | - | LOW NOISE |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | - | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 3 V | 3 V | - | 3 V |
| FET 技术 | HIGH ELECTRON MOBILITY | HIGH ELECTRON MOBILITY | - | HIGH ELECTRON MOBILITY |
| 最高频带 | KU BAND | KU BAND | - | KU BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 | R-PDSO-G6 | - | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | - | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | - | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 6 | 6 | - | 6 |
| 工作模式 | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE | - | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE |
| 最小功率增益 (Gp) | 9.4 dB | 9.4 dB | - | 9.4 dB |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES | - | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | - | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | - | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | - | DUAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | - | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE | GALLIUM ARSENIDE | - | GALLIUM ARSENIDE |
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