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IRFD012

产品描述HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小441KB,共6页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRFD012概述

HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP

IRFD012规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码DIP
包装说明IN-LINE, R-PDIP-T4
针数4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.4 A
最大漏极电流 (ID)1.4 A
最大漏源导通电阻0.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDIP-T4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IRFD012相似产品对比

IRFD012 IRFD010
描述 HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 DIP DIP
包装说明 IN-LINE, R-PDIP-T4 IN-LINE, R-PDIP-T4
针数 4 4
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V 50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 1.4 A 1.7 A
最大漏极电流 (ID) 1.4 A 1.7 A
最大漏源导通电阻 0.3 Ω 0.2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDIP-T4 R-PDIP-T4
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 4 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1 W 1 W
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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