HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | IN-LINE, R-PDIP-T4 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 50 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1.4 A |
最大漏极电流 (ID) | 1.4 A |
最大漏源导通电阻 | 0.3 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T4 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
IRFD012 | IRFD010 | |
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描述 | HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP | HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) | International Rectifier ( Infineon ) |
零件包装代码 | DIP | DIP |
包装说明 | IN-LINE, R-PDIP-T4 | IN-LINE, R-PDIP-T4 |
针数 | 4 | 4 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 50 V | 50 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1.4 A | 1.7 A |
最大漏极电流 (ID) | 1.4 A | 1.7 A |
最大漏源导通电阻 | 0.3 Ω | 0.2 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T4 | R-PDIP-T4 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W | 1 W |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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