TS27L4MJ,TS27L4MJ pdf中文资料,TS27L4MJ引脚图,TS27L4MJ电路-Datasheet-电子工程世界

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TS27L4MJ: 产品描述TS27L4MJ放大器基础信息： TS27L4MJ是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERDIP-14 TS27L4MJ放大器核心信息： TS27L4MJ的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.0003 µA 如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，TS27L4MJ的标称压摆率有0.04 V/us。厂商给出的TS27L4MJ的最大压摆率为0.072 mA.其最小电压增益为40000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，TS27L4MJ增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为100 kHz。 TS27L4MJ的标称供电电压为10 V。而其供电电源的范围为：10 V。TS27L4MJ的输入失调电压为12000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。） TS27L4MJ的相关尺寸： TS27L4MJ拥有14个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：14 TS27L4MJ放大器其他信息： TS27L4MJ采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。TS27L4MJ的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。其属于微功率放大器。TS27L4MJ不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-CDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为：e0。TS27L4MJ的封装代码是：DIP。 TS27L4MJ封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。TS27L4MJ封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小206KB，共10页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 器件替换：TS27L4MJ替换放大器

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TS27L4MJ概述

TS27L4MJ放大器基础信息：

TS27L4MJ是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERDIP-14

TS27L4MJ放大器核心信息：

TS27L4MJ的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.0003 µA

如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，TS27L4MJ的标称压摆率有0.04 V/us。厂商给出的TS27L4MJ的最大压摆率为0.072 mA.其最小电压增益为40000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，TS27L4MJ增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为100 kHz。

TS27L4MJ的标称供电电压为10 V。而其供电电源的范围为：10 V。TS27L4MJ的输入失调电压为12000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）

TS27L4MJ的相关尺寸：

TS27L4MJ拥有14个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：14

TS27L4MJ放大器其他信息：

TS27L4MJ采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。TS27L4MJ的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。

其属于微功率放大器。TS27L4MJ不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-CDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为：e0。TS27L4MJ的封装代码是：DIP。

TS27L4MJ封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。TS27L4MJ封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。

TS27L4MJ规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	DIP
包装说明	CERDIP-14
针数	14
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)	0.0003 µA
标称共模抑制比	80 dB
频率补偿	YES
最大输入失调电压	12000 µV
JESD-30 代码	R-CDIP-T14
JESD-609代码	e0
低-偏置	YES
低-失调	NO
微功率	YES
功能数量	4
端子数量	14
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP14,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	10 V
认证状态	Not Qualified
标称压摆率	0.04 V/us
最大压摆率	0.072 mA
供电电压上限	12 V
标称供电电压 (Vsup)	10 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽	100 kHz
最小电压增益	40000
Base Number Matches	1

TS27L4MJ相似产品对比

	TS27L4MJ	TS27M4AMJ	TS27M4BMJ	TS27M4MJ	TS27L4BMJ	TS274MJ	TS27L4AMJ
描述	QUAD OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 0.1MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14	QUAD OP-AMP, 6500uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14	QUAD OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14	QUAD OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14	QUAD OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 0.1MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14	QUAD OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 3.5MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14	QUAD OP-AMP, 6500uV OFFSET-MAX, 0.1MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	CERDIP-14	CERDIP-14	CERDIP-14	CERDIP-14	CERDIP-14	DIP, DIP14,.3	CERDIP-14
针数	14	14	14	14	14	14	14
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	_compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)	0.0003 µA	0.0003 µA	0.0003 µA	0.0003 µA	0.0003 µA	0.0003 µA	0.0003 µA
标称共模抑制比	80 dB	80 dB	80 dB	80 dB	80 dB	80 dB	80 dB
频率补偿	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大输入失调电压	12000 µV	6500 µV	3500 µV	12000 µV	3500 µV	12000 µV	6500 µV
JESD-30 代码	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
低-偏置	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
低-失调	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
功能数量	4	4	4	4	4	4	4
端子数量	14	14	14	14	14	14	14
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP14,.3	DIP14,.3	DIP14,.3	DIP14,.3	DIP14,.3	DIP14,.3	DIP14,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V	4/16 V	10 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
标称压摆率	0.04 V/us	0.6 V/us	0.6 V/us	0.6 V/us	0.04 V/us	5.5 V/us	0.04 V/us
最大压摆率	0.072 mA	1.2 mA	1.2 mA	1.2 mA	0.072 mA	6.8 mA	0.072 mA
供电电压上限	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V
标称供电电压 (Vsup)	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽	100 kHz	1000 kHz	1000 kHz	1000 kHz	100 kHz	3500 kHz	100 kHz
最小电压增益	40000	10000	10000	10000	40000	6000	40000
微功率	YES	YES	YES	YES	YES	-	YES
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-	-
是否无铅	-	含铅	含铅	含铅	含铅	-	-

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