电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

EGP30G/4H

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小212KB,共3页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
下载文档 详细参数 全文预览

EGP30G/4H概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN

EGP30G/4H规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
EGP30A thru EGP30G
Vishay Semiconductors
Glass Passivated Ultrafast Rectifier
Major Ratings and Characteristics
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
j
max.
3.0 A
50 V to 400 V
125 A
50 ns
0.95 V, 1.25 V
150 °C
®
*
nted
Pate
*Glass Encapsulation
technique is covered by
Patent No. 3,996,602,
brazed-lead assembly to
Patent No. 3,930,306
GP20
Features
Cavity-free glass-passivated junction
Ultrafast reverse recovery time
Low forward voltage drop
Low leakage current
Low switching losses, high efficiency
High forward surge capability
Solder Dip 260° C, 40 seconds
Mechanical Data
Case:
GP20, molded epoxy over glass body
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high
reliability grade (AEC Q101 qualified)
Polarity:
Color band denotes cathode end
Typical Applications
For use in high frequency rectification and freewheel-
ing application in switching mode converters and
inverters for consumer, computer and Telecommuni-
cation
Maximum Ratings
T
A
= 25 °C unless otherwise specified
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5 mm) lead length at T
A
= 55 °C
Peak forward surge current 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Operating and storage temperature range
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
T
J
,T
STG
EGP30A EGP30B EGP30C EGP30D EGP30F EGP30G
50
35
50
100
70
100
150
105
150
3.0
125
- 65 to + 150
200
140
200
300
210
300
400
280
400
Unit
V
V
V
A
A
°C
Document Number 88584
10-Aug-05
www.vishay.com
1
ECAP捕获在分频计脉冲数出现问题
寄存器设置情况:SPLK #0000000110101010B,ECCTL11 SPLK #0000000011010000B,ECCTL12CAP1连续捕获,不分频情况下,计数正常,10分频时,上电复位后第一次发2个脉冲就计1次数,后面正常,发10个 ......
kunt 微控制器 MCU
汇编编写数字时钟,显示有问题,请大神帮忙看一下
实验板原理图及代码如下:...
阳阳学通信 51单片机
中断
msp430有几个中断啊?中断函数怎么用?什么中断标志吗,中断置位,中断清除那些是什么关系:)...
guosiyuan 微控制器 MCU
我的MSP430作品
智能探测车制作 今年的省赛结束了,在几个月的备战中,自己取得了丰硕的成果,在这次竞赛中,新的MSP430无疑给了我更多的灵感,简约的设计,丰富的资源,为我提供了很多的便利的条件。 我 ......
穿越火线大月 微控制器 MCU
芯片是怎么制造的?央视最强科普!
最近几个月,因为一系列事情,大家对国内芯片产业的关注度日益增加。 那么,什么是芯片?如何制造芯片?涉及到多少高科技?我国的芯片产业现状如何?又会有哪些挑战? 在这里我们 ......
btty038 无线连接
请问USI的I2C怎么用?
芯片资料上的USI寄存器有点看不明白, 硬件上是不是集成了SPI,I2C的收发器还是要软件模拟? 从TI官网上下了个USI_I2CMaster的函数库,初始化的时候端口上看不到波形,USI_I2CSelect E2PROM的就死在 ......
toor 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1240  1221  586  2279  765  57  45  26  37  48 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved