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JANS1N4567

产品描述Zener Diode, 6.4V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小455KB,共4页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
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JANS1N4567概述

Zener Diode, 6.4V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

JANS1N4567规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DO-35
包装说明O-XALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/452
标称参考电压6.4 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
电压温度Coeff-Max0.128 mV/°C
最大电压容差5%
Base Number Matches1

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Temperature Compensated
Zener Reference Diode Series
1N4565 thru 1N4584A, 1N4565A-1 thru 1N4584A-1
Features
Available in JAN, JANTX , JANTXV and JANS per MIL-PRF-19500/452
6.4 Volt Nominal Zener Voltage +5 %
Metallurgically Bonded
Maximum Ratings
Operating & Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500mW @ +50°C
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C
REVERSE LEAKAGE CURRENT
lR = 2 μA @ 25°C & VR = 3 Vdc
Electrical Specifications @ +25 ºC (Unless Otherwise Specified)
JEDEC
Type
Number
mA
1N4565-1
1N4565A-1
1N4566-1
1N4566A-1
1N4567-1
1N4567A-1
1N4568-1
1N4568A-1
1N4569-1
1N4569A-1
1N4570-1
1N4570A -1
1N4571-1
1N4571A-1
1N4572-1
1N4572A-1
1N4573, -1
1N4573A, -1
1N4574-1
1N4574A-1
1N4575-1
1N4575A-1
1N4576-1
1N4576A-1
1N4577-1
1N4577A-1
1N4578-1
1N4578A-1
1N4579-1
1N4579A-1
1N4580-1
1N4580A-1
1N4581-1
1N4581A-1
1N4582-1
1N4582A-1
1N4583-1
1N4583A-1
1N4584-1
1N4584A-1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
%/°C
0.01
0.01
0.005
0.005
0.002
0.002
0.001
0.001
0.0005
0.0005
0.01
0.01
0.005
0.005
0.002
0.002
0.001
0.001
0.0005
0.0005
0.01
0.01
0.005
0.005
0.002
0.002
0.001
0.001
0.0005
0.0005
0.01
0.01
0.005
0.005
0.002
0.002
0.001
0.001
0.0005
0.0005
Zener
Test
Current
Effective
Temperature
Coefficient
Voltage
Temperature
Stability
(3VZT maximum)
(Note1)
mV
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to + 100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to + 75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
0 to +75°C
-55 to +100°C
Temperature
Range
Maximum Dynamic
Zener
Impeadance
(Note 2)
Ohms
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
NOTE 1:
NOTE 2:
The maximum allowable change observed over the entire temperature range i.e., the diode voltage will not exceed the
specified mV at any discrete temperature between the established limits, per JEDEC standard No. 5.
Zener impedance is derived by superimposing on lZT A 60Hz rms a.c. current equal to 10% of lZT.
Revision Date: 2/3/2009
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