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HB52E169EN-B6F

产品描述Synchronous DRAM Module, 16MX72, 6ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168
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文件大小1MB,共64页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB52E169EN-B6F概述

Synchronous DRAM Module, 16MX72, 6ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168

HB52E169EN-B6F规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度1207959552 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度65 °C
最低工作温度
组织16MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大待机电流0.036 A
最大压摆率1.215 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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HB52E88EM-F, HB52E89EM-F,
HB52E168EN-F, HB52E169EN-F
64 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory
Bus
(HB52E88EM) 8-Mword
¥
64-bit, 1-Bank Module
(8 pcs of 8 M
¥
8 Components)
(HB52E89EM) 8-Mword
¥
72-bit, 1-Bank Module
(9 pcs of 8 M
¥
8 Components)
128 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory
Bus
(HB52E168EN) 16-Mword
¥
64-bit, 2-Bank Module
(16 pcs of 8 M
¥
8 Components)
(HB52E169EN) 16-Mword
¥
72-bit, 2-Bank Module
(18 pcs of 8 M
¥
8 Components)
PC100 SDRAM
ADE-203-1054 (Z)
Preliminary
Rev. 0.0
Apr. 16, 1999
Description
The HB52E88EM, HB52E89EM, HB52E168EN, HB52E169EN belong to 8-byte DIMM (Dual In-line
Memory Module) family, and have been developed as an optimized main memory solution for 8-byte proces-
sor applications.
They are synchronous Dynamic RAM Module, mounted 64-Mbit SDRAMs
(HM5264805FTT) sealed in TSOP package, and 1 piece of serial EEPROM (2-kbit EEPROM) for Presence
Detect (PD). The HB52E88EM is organized 8M
¥
64
¥
1-bank mounted 8 pieces of 64-Mbit SDRAM. The
HB52E89EM is organized 8M
¥
72
¥
1-bank mounted 9 pieces of 64-Mbit SDRAM. The HB52E168EN is
organized 8M
¥
64
¥
2-bank mounted 16 pieces of 64-Mbit SDRAM. The HB52E169EN is organized 8M
¥
72
¥
2-bank mounted 18 pieces of 64-Mbit SDRAM. An outline of the products is 168-pin socket type pack-
age (dual lead out). Therefore, they make high density mounting possible without surface mount technology.
They provide common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside each TSOP on the
module board.
Features
Fully compatible with: JEDEC standard outline unbuffered 8-byte DIMM
— Intel PCB Reference design (Rev. 1.0)

HB52E169EN-B6F相似产品对比

HB52E169EN-B6F HB52E168EN-B6F
描述 Synchronous DRAM Module, 16MX72, 6ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168
零件包装代码 DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 1207959552 bit 1073741824 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 72 64
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 168 168
字数 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 65 °C 65 °C
组织 16MX72 16MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096
自我刷新 YES YES
最大待机电流 0.036 A 0.032 A
最大压摆率 1.215 mA 1.08 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1
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