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HB56UW1673E-7A: 产品描述EDO DRAM Module, 16MX72, 70ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小89KB，共15页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB56UW1673E-7A概述

EDO DRAM Module, 16MX72, 70ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168

HB56UW1673E-7A规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168
针数	168
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	70 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	1207959552 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	31.75 mm
最大待机电流	0.028 A
最大压摆率	2.89 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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HB56UW1673E-6A/7A

16777216-word

72-bit High Density Dynamic RAM Module

ADE-203-575A (Z)

Rev. 1.0

Dec. 24, 1996

Description

The HB56UW1673E belongs to 8-byte DIMM (Dual in-line Memory Module) family , and have been

developed an optimized main memory solution for 4 and 8-byte processor applications. The

HB56UW1673E is a 16 M

72 Dynamic RAM Module, mounted 18 pieces of 64-Mbit DRAM

(HM5165405ATT) sealed in TSOP package and 2 pieces of 16-bit BiCMOS line driver (74LVT16244)

sealed in TSSOP package. The HB56UW1673E offers Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high

speed access mode. An outline of the HB56UW1673E is 168-pin socket type package (dual lead out).

Therefore, the HB56UW1673E makes high density mounting possible without surface mount technology.

The HB56UW1673E provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside

each TSOP on the its module board.

Features

•

168-pin socket type package (Dual lead out)



Lead pitch : 1.27 mm

•

Single 3.3 V (±0.3 V)

•

High speed



Access time: t

RAC

= 60 ns/70 ns (max)



Access time: t

CAC

= 20 ns/23 ns (max)

•

Low power dissipation



Active mode: 9.11 W/8.46 W (max)



Standby mode (TTL): 166 mW (max)

•

Buffered input except

RAS

and DQ

•

4 byte interleave enabled, dual address input (A0/B0)

•

JEDEC standard outline buffered 8-byte DIMM

•

EDO page mode capability

•

4096 refresh cycles: 64 ms

•

2 variations of refresh



RAS-only

refresh



CAS-before-RAS

refresh

•

TTL compatible

HB56UW1673E-7A相似产品对比

	HB56UW1673E-7A	HB56UW1673E-6A
描述	EDO DRAM Module, 16MX72, 70ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168	EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168
零件包装代码	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
针数	168	168
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	70 ns	60 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	1207959552 bit	1207959552 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	72	72
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	168	168
字数	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	16MX72	16MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096
座面最大高度	31.75 mm	31.75 mm
最大待机电流	0.028 A	0.028 A
最大压摆率	2.89 mA	3.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1

HB56UW1673E-7A

HB56UW1673E-7A概述

HB56UW1673E-7A规格参数

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