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NAND02GR4B3BN1T

产品描述128MX16 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
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文件大小999KB,共59页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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NAND02GR4B3BN1T概述

128MX16 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

NAND02GR4B3BN1T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TSOP
包装说明12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
类型NAND TYPE
宽度12 mm
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