NM93C46AMM8概述

128X8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8

NM93C46AMM8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP, SOP8,.25
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
其他特性	MICROWIRE BUS INTERFACE; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION = 40 YEARS
备用内存宽度	16
最大时钟频率 (fCLK)	0.5 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0
长度	4.9 mm
内存密度	1024 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	128 words
字数代码	128
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128X8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm
串行总线类型	MICROWIRE
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.004 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms
写保护	SOFTWARE
Base Number Matches	1

NM93C46AMM8相似产品对比

	NM93C46AMM8	NM93C46AMN
描述	128X8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8	128X8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
是否Rohs认证	不符合	不符合
零件包装代码	SOIC	DIP
包装说明	SOP, SOP8,.25	DIP, DIP8,.3
针数	8	8
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
其他特性	MICROWIRE BUS INTERFACE; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION = 40 YEARS	MICROWIRE BUS INTERFACE; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION = 40 YEARS
备用内存宽度	16	16
最大时钟频率 (fCLK)	0.5 MHz	0.5 MHz
数据保留时间-最小值	40	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e0	e0
长度	4.9 mm	9.817 mm
内存密度	1024 bit	1024 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8
功能数量	1	1
端子数量	8	8
字数	128 words	128 words
字数代码	128	128
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C
组织	128X8	128X8
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	DIP
封装等效代码	SOP8,.25	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE
并行/串行	SERIAL	SERIAL
电源	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm	5.08 mm
串行总线类型	MICROWIRE	MICROWIRE
最大待机电流	0.0001 A	0.0001 A
最大压摆率	0.004 mA	0.004 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL
宽度	3.9 mm	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms	10 ms
写保护	SOFTWARE	SOFTWARE

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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