RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, M130, 4 PIN
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 9 A |
基于收集器的最大容量 | 150 pF |
集电极-发射极最大电压 | 35 V |
配置 | SINGLE |
最高频带 | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | O-CRDB-F4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | DISK BUTTON |
极性/信道类型 | NPN |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | RADIAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 150 MHz |
Base Number Matches | 1 |
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