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SD1019E3

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, M130, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小73KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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SD1019E3概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, M130, 4 PIN

SD1019E3规格参数

参数名称属性值
包装说明DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)9 A
基于收集器的最大容量150 pF
集电极-发射极最大电压35 V
配置SINGLE
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F4
元件数量1
端子数量4
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
Base Number Matches1

 
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