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M58WR064ET70ZB6

产品描述4MX16 FLASH 1.8V PROM, 70ns, PBGA56, 7.70 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, VFBGA-56
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共82页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M58WR064ET70ZB6概述

4MX16 FLASH 1.8V PROM, 70ns, PBGA56, 7.70 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, VFBGA-56

M58WR064ET70ZB6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明7.70 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, VFBGA-56
针数56
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间70 ns
其他特性SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B56
JESD-609代码e0
长度9 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模8,127
端子数量56
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA56,7X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小4 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8/2,1.8/3 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
部门规模4K,32K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)2.2 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度7.7 mm
Base Number Matches1
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