Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | MODULE |
包装说明 | MODULE-9 |
针数 | 9 |
Reach Compliance Code | compliant |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 1200 A |
集电极-发射极最大电压 | 3300 V |
配置 | COMPLEX |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X9 |
元件数量 | 3 |
端子数量 | 9 |
最高工作温度 | 125 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 1510 ns |
标称接通时间 (ton) | 600 ns |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved