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MIO1200-33E10

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小205KB,共6页
制造商IXYS
标准  
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MIO1200-33E10在线购买

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MIO1200-33E10概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9

MIO1200-33E10规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码MODULE
包装说明MODULE-9
针数9
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)1200 A
集电极-发射极最大电压3300 V
配置COMPLEX
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X9
元件数量3
端子数量9
最高工作温度125 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)1510 ns
标称接通时间 (ton)600 ns
Base Number Matches1
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