S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
S波段, 硅, N沟道, 射频功率, 场效应管
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 2 |
最小击穿电压 | 65 V |
加工封装描述 | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
中国RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | FLANGE MOUNT |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | FLAT |
端子涂层 | NOT SPECIFIED |
端子位置 | DUAL |
包装材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
结构 | SINGLE |
壳体连接 | SOURCE |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
通道类型 | N-CHANNEL |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | RF POWER |
最大漏电流 | 20 A |
最高频带 | S BAND |
BLF6G27S-45_08 | BLF6G27-45 | BLF6G27S-45 | |
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描述 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
端子数量 | 2 | 2 | 2 |
表面贴装 | Yes | YES | YES |
端子形式 | FLAT | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
最高频带 | S BAND | S BAND | S BAND |
是否无铅 | - | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 |
厂商名称 | - | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
包装说明 | - | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 |
针数 | - | 2 | 2 |
Reach Compliance Code | - | unknow | unknow |
ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | - | SOURCE | SOURCE |
配置 | - | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | - | 65 V | 65 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | - | 20 A | 20 A |
最大漏极电流 (ID) | - | 20 A | 20 A |
FET 技术 | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | - | R-CDFM-F2 | R-CDFP-F2 |
工作模式 | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | - | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | FLANGE MOUNT | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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