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BLF6G27S-45_08

产品描述S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小109KB,共16页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BLF6G27S-45_08概述

S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET

S波段, 硅, N沟道, 射频功率, 场效应管

BLF6G27S-45_08规格参数

参数名称属性值
端子数量2
最小击穿电压65 V
加工封装描述ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
表面贴装Yes
端子形式FLAT
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置DUAL
包装材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
结构SINGLE
壳体连接SOURCE
元件数量1
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
场效应晶体管技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型RF POWER
最大漏电流20 A
最高频带S BAND

BLF6G27S-45_08相似产品对比

BLF6G27S-45_08 BLF6G27-45 BLF6G27S-45
描述 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
端子数量 2 2 2
表面贴装 Yes YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL
元件数量 1 1 1
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
最高频带 S BAND S BAND S BAND
是否无铅 - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 - 符合 符合
厂商名称 - NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 - ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
针数 - 2 2
Reach Compliance Code - unknow unknow
ECCN代码 - EAR99 EAR99
外壳连接 - SOURCE SOURCE
配置 - SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 - 65 V 65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 20 A 20 A
最大漏极电流 (ID) - 20 A 20 A
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 - R-CDFM-F2 R-CDFP-F2
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
封装主体材料 - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - FLANGE MOUNT FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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