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RMK408N23K4DP

产品描述RES NET,THIN FILM,23.4K OHMS,100WV,.5% +/-TOL,-10,10PPM TC,1006 CASE
产品类别无源元件    电阻器   
文件大小86KB,共3页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准  
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RMK408N23K4DP概述

RES NET,THIN FILM,23.4K OHMS,100WV,.5% +/-TOL,-10,10PPM TC,1006 CASE

RMK408N23K4DP规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMT, 1006
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
构造Chip
制造商序列号RMK408N
网络类型Isolated
端子数量8
最高工作温度155 °C
最低工作温度-55 °C
封装高度0.4 mm
封装长度2.6 mm
封装形式SMT
封装宽度1.6 mm
额定功率耗散 (P)0.25 W
电阻23400 Ω
电阻器类型ARRAY/NETWORK RESISTOR
系列RMK 408N
尺寸代码1006
温度系数-10,10 ppm/°C
端子面层Aluminum (Al)
容差0.5%
工作电压100 V
Base Number Matches1

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RMK 408N, 508N, 48N, 816N, 914N (CN)
Vishay Sfernice
Wirebondable Chip Resistor Network
FEATURES
High precision tolerances down to 0.01 % Ratio
Very low temperature coefficient: 10 ppm/°C abs.,
2 ppm/°C ratio
Excellent stability < 300 ppm, 2000 h at Pn at
+ 70 °C
Wirebondable
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
Actual Size
Manufactured in ULTRAFILM technology, these resistor
network chips have a high level of integration, wide ohmic
value range, very low temperature coefficient 10 ppm/°C
which are unequaled on the market today. Laser trimming
can provide excellent precision down to 0.1 % abs 0.01 %
ratio.
TYPICAL PERFORMANCE
ABS
TCR
TOL.
5 ppm/°C
ABS
0.1 %
TRACKING
1 ppm/°C
RATIO
0.01 %
SCHEMATIC
8
7
6
5
0.2
15
14
R
2
R
1
1
0.2
2
R
5
0.1
13
1
2
7
8
R
R
4 3
R
R
1 2
2
3
3
6
5
4
0.4
0.1
4
14
R
4
R
2
NC
1
R
1
2
R
3
3
R
5
4
5
R
7
6
R
6
R
8
R
9
7
0.13
NC
12
11
10
9
8
0.24
3
4
5
6
7
R
3
R
4
13
12
R
5
11
R
6
R
7
R
8
8
0.13
10
0.24
0.1
1
8
R
2
2
7
3
6
R
4
R
3
4
5
16
9
RMK 408N
R
1
R
2
R
3
R
4
RMK
816N
RMK 508N
R
1
RMK 914N
RMK 48N
1
STANDARD ELECTRICAL SPECIFICATIONS
TEST
SERIES
Ohmic range
TCR:
Tolerance:
Power rating:
(0 W at + 155 °C)
Stability
Voltage coefficient
Working voltage
Operating temperature range
Storage temperature range
Noise
Thermal EMF
Shelf life stability
Note
(1)
For 200 °C operations please consult factory
Tracking
Absolute
Ratio
Absolute
SPECIFICATIONS
48N, 408N, 508N, 816N, 914N
1 kΩ to 200 kΩ
± 1 ppm/°C typical/± 2 ppm/°C maximum
± 10 ppm/°C maximum/± 5 ppm/°C maximum
± 0.05 %, ± 0.02 %, ± 0.01 %
± 1.0 %, ± 0.5 %, ± 0.25 %, ± 0.1 %
48N = 125 mW, others: 250 mW
48N = 50 mW, others: 125 mW
< 300 ppm
< 0.1 ppm/V
100 V
- 55 °C to + 155 °C
(1)
- 55 °C to + 155 °C
< - 35 dB
0.01 µV/°C
50 ppm
CONDITION
- 55 °C to + 155 °C
- 55 °C to + 155 °C/0 °C to + 70 °C
at + 70 °C
at + 125 °C
2000 h at + 70 °C under Pn
1 year at + 25 °C
** Please see document “Vishay Material Category Policy”:
www.vishay.com/doc?99902
www.vishay.com
30
For technical questions, contact:
sfer@vishay.com
Document Number: 60053
Revision: 20-Aug-09
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