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HYS64T256020EDV-3S-C: 产品描述DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, GREEN, SODIMM-200; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共33页; 制造商QIMONDA

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HYS64T256020EDV-3S-C概述

DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, GREEN, SODIMM-200

	HYS64T256020EDV-3S-C	HYS64T128020EDV-3S-C
描述	DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, GREEN, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, GREEN, SODIMM-200
厂商名称	QIMONDA	QIMONDA
零件包装代码	MODULE	MODULE
包装说明	DIMM,	DIMM,
针数	200	200
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200
内存密度	17179869184 bit	8589934592 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	200	200
字数	268435456 words	134217728 words
字数代码	256000000	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C	65 °C
组织	256MX64	128MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.45 V	1.45 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V	1.5 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ