QS8882-35LRB,QS8882-35LRB pdf中文资料,QS8882-35LRB引脚图,QS8882-35LRB电路-Datasheet-电子工程世界

QS8882-35LRB: 产品描述Cache Tag SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CQCC28,; 产品类别存储存储; 文件大小352KB，共9页; 制造商Quality Semiconductor Inc

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QS8882-35LRB概述

Cache Tag SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CQCC28,

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Quality Semiconductor Inc
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	35 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-CQCC-N28
JESD-609代码	e0
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	CACHE TAG SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	16KX4
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC28,.35X.55
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流	0.002 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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