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EDI88512VA20MM

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36,
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文件大小215KB,共6页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDI88512VA20MM概述

Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36,

EDI88512VA20MM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间20 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J36
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量36
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ36,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.01 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

EDI88512VA20MM相似产品对比

EDI88512VA20MM EDI88512VA25MM EDI88512VA20MI EDI88512VA15MI EDI88512VA17MI EDI88512VA25MI
描述 Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36, Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, PDSO36, Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36, Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS, PDSO36, Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, PDSO36,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 20 ns 25 ns 20 ns 15 ns 17 ns 25 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J36 R-PDSO-J36 R-PDSO-J36 R-PDSO-J36 R-PDSO-J36 R-PDSO-J36
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 36 36 36 36 36 36
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ36,.44 SOJ36,.44 SOJ36,.44 SOJ36,.44 SOJ36,.44 SOJ36,.44
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最小待机电流 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] - - EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.]
最大压摆率 0.16 mA 0.16 mA 0.16 mA 0.17 mA - 0.16 mA
Base Number Matches 1 1 1 1 - -

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