DIODE 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-C2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
最大输出电流 | 1 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 40 V |
最大反向恢复时间 | 0.035 µs |
表面贴装 | YES |
技术 | SCHOTTKY |
端子形式 | C BEND |
端子位置 | DUAL |
Base Number Matches | 1 |
U1GWJ44TE12R | U1GWJ44TE12L | |
---|---|---|
描述 | DIODE 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode | DIODE 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
配置 | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-C2 | R-PDSO-C2 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
最大输出电流 | 1 A | 1 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 40 V | 40 V |
最大反向恢复时间 | 0.035 µs | 0.035 µs |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | SCHOTTKY | SCHOTTKY |
端子形式 | C BEND | C BEND |
端子位置 | DUAL | DUAL |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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