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U1GWJ44TE12R

产品描述DIODE 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小269KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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U1GWJ44TE12R概述

DIODE 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

U1GWJ44TE12R规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式C BEND
端子位置DUAL
Base Number Matches1

U1GWJ44TE12R相似产品对比

U1GWJ44TE12R U1GWJ44TE12L
描述 DIODE 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 40 V 40 V
最大反向恢复时间 0.035 µs 0.035 µs
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1

 
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