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PH2323-1

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小141KB,共2页
制造商MACOM
官网地址http://www.macom.com
标准  
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PH2323-1概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2

PH2323-1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称MACOM
包装说明FLANGE MOUNT, E-CRFM-F2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
外壳连接BASE
最大集电极电流 (IC)0.2 A
配置SINGLE
最高频带S BAND
JESD-30 代码E-CRFM-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ELLIPTICAL
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)7 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)2300 MHz
Base Number Matches1
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