Silicon Controlled Rectifier, 2310A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
包装说明 | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
Reach Compliance Code | compliant |
配置 | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率 | 500 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 200 mA |
最大直流栅极触发电压 | 3 V |
JESD-30 代码 | O-CEDB-N2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 125 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | DISK BUTTON |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
认证状态 | Not Qualified |
最大均方根通态电流 | 2310 A |
断态重复峰值电压 | 600 V |
重复峰值反向电压 | 600 V |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | END |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
触发设备类型 | SCR |
Base Number Matches | 1 |
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