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HB56TW433D-5

产品描述Fast Page DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, SODIMM-72
产品类别存储    存储   
文件大小283KB,共24页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56TW433D-5概述

Fast Page DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, SODIMM-72

HB56TW433D-5规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DMA
包装说明DIMM, DIMM72
针数72
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间50 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N72
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度25.4 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.008 A
最大压摆率0.8 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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HB56TW432D Series,
HB56TW433D Series
4,194,304-word
×
32-bit High Density Dynamic RAM Module
ADE-203-732A (Z)
Rev.1.0
Feb. 27, 1997
Description
The HB56TW432D is a 4M
×
32 dynamic RAM Small Outline Dual In-line Memory Module
(S.O.DIMM), mounted 8 pieces of 16-Mbit DRAM (HM51W16400) sealed in TSOP package. The
HB56TW433D is a 4M
×
32 dynamic RAM Small Outline Dual In-line Memory Module (S.O.DIMM),
mounted 8 pieces of 16-Mbit DRAM (HM51W17400) sealed in TSOP package. An outline of the
HB56TW432D, HB56TW433D is 72-pin Zig Zag Dual tabs socket type compact and thin package.
Therefore, the HB56TW432D, HB56TW433D make high density mounting possible without surface mount
technology. The HB56TW432D, HB56TW433D provide common data inputs and outputs. Decoupling
capacitors are mounted on the module board.
Features
72-pin Zig Zag Dual tabs socket type
Outline: 59.69 mm (Length)
×
25.40 mm (Height)
×
3.80 mm (Thickness)
Lead pitch: 1.27 mm
Single 3.3 V (±0.3 V) supply
High speed
Access time: t
RAC
= 50/60/70 ns (max)
t
CAC
= 13/15/18 ns (max)
Low power dissipation
Active mode: 2.59/2.30/2.02 W (max) (HB56TW432D Series)
2.88/2.59/2.30 W (max) (HB56TW433D Series)
Standby mode (TTL): 57.6 mW (max)
(CMOS): 2.88 mW (max) (L-version)
Fast page mode capability

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