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KM658128AP-10

产品描述Pseudo Static RAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
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文件大小231KB,共7页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM658128AP-10概述

Pseudo Static RAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

KM658128AP-10规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP32,.6
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T32
JESD-609代码e0
长度41.91 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型PSEUDO STATIC RAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.001 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
Base Number Matches1
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