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DMCD1CHP

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小50KB,共2页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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DMCD1CHP概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

DMCD1CHP规格参数

参数名称属性值
包装说明UNCASED CHIP, S-XUUC-N3
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
最小漏源击穿电压15 V
最大漏极电流 (ID)0.05 A
最大漏源导通电阻200 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-XUUC-N3
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

DMCD1CHP相似产品对比

DMCD1CHP DMCD1CHP-1 DMCD1CHP-2
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 15V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 15V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
包装说明 UNCASED CHIP, S-XUUC-N3 UNCASED CHIP, S-XUUC-N3 UNCASED CHIP, S-XUUC-N3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 15 V 15 V 15 V
最大漏极电流 (ID) 0.05 A 0.05 A 0.05 A
最大漏源导通电阻 200 Ω 200 Ω 200 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 S-XUUC-N3 S-XUUC-N3 S-XUUC-N3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER UPPER
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
ECCN代码 - EAR99 EAR99
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