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BSS64D87Z

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小62KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BSS64D87Z概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

BSS64D87Z规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)60 MHz
Base Number Matches1

BSS64D87Z相似产品对比

BSS64D87Z
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.2 A
集电极-发射极最大电压 80 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
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