HYB18T512400AF-3S,HYB18T512400AF-3S pdf中文资料,HYB18T512400AF-3S引脚图,HYB18T512400AF-3S电路-Datasheet-电子工程世界

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HYB18T512400AF-3S: 产品描述DDR DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60; 产品类别存储存储; 文件大小3MB，共57页; 制造商QIMONDA; 标准

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HYB18T512400AF-3S概述

DDR DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60

HYB18T512400AF-3S规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数	60
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
长度	10.5 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	4
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	95 °C
最低工作温度
组织	128MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA60,9X11,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.0055 A
最大压摆率	0.147 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	10 mm
Base Number Matches	1

HYB18T512400AF-3S相似产品对比

	HYB18T512400AF-3S	HYB18T512160AFL-3.7	HYB18T512800AFL-3.7	HYB18T512400AFL-3.7
描述	DDR DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60	DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84	DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60	DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数	60	84	60	60
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns	0.5 ns	0.5 ns	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz	266 MHz	266 MHz	266 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B60	R-PBGA-B84	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60
长度	10.5 mm	12.5 mm	10.5 mm	10.5 mm
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	4	16	8	4
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	60	84	60	60
字数	134217728 words	33554432 words	67108864 words	134217728 words
字数代码	128000000	32000000	64000000	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C
组织	128MX4	32MX16	64MX8	128MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA60,9X11,32	BGA84,9X15,32	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8
最大待机电流	0.0055 A	0.0055 A	0.0055 A	0.0055 A
最大压摆率	0.147 mA	0.22 mA	0.145 mA	0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm
Base Number Matches	1	1	1	1
湿度敏感等级	3	3	-	3
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	-	260
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	-	40

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