电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

C-13-001-T-SFCM/K

产品描述Laser Diode, 1310nm, HERMETIC SEALED PACKAGE-4
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小326KB,共8页
制造商Source Photonics
下载文档 详细参数 全文预览

C-13-001-T-SFCM/K概述

Laser Diode, 1310nm, HERMETIC SEALED PACKAGE-4

C-13-001-T-SFCM/K规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明HERMETIC SEALED PACKAGE-4
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
功能数量1
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
光电设备类型LASER DIODE
标称输出功率1.5 mW
峰值波长1310 nm
形状ROUND
最大阈值电流15 mA
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
P/N: C-13-001-XX-SXXXX/XXX-X-XX
1310nm Laser Diode Module
Features
l
Laser diode with Multi-quantum-well structure
l
Un-cooled operation at -40 to +85°
C
l
Built-in InGaAs monitor photodiode
l
Hermetically sealed active component
l
Complies with Telcordia Technologies GR-468-CORE
l
TOSA
l
FC/ST/SC Receptacle package with 2-hole flange
l
Fiber pigtailed with optional FC/ST/SC/MU/LC connector
l
Design for fiber-optics networks
l
RoHS Compliant available
Absolute Maximum Ratings (Tc=25°
C)
Parameter
Fiber Output Power
LD Reverse Voltage
PD Reverse Voltage
PD Forward Current
Operating Temperature
Storage Temperature
L/M/H/2
Symbol
P
f
V
RLD
V
RPD
I
FPD
T
opr
T
stg
Rating
1(L)/1.5(M)/2.5(H)/3(2)
2
10
1
-40 ~ 85
-40 ~ 85
Unit
mW
V
V
mA
(All optical data refer to a coupled 9/125
μ
m SM fiber)
Optical and Electrical Characteristics (Tc=25°
C)
Parameter
Thres hold Current
L
Fiber Output Power
M
H
2
Peak Wavelength
Spectrum
Width
(RMS)
Forward Voltage
Rise Time / Fall Time
Tracking Error
PD Monitor Current
PD Dark Current
PD Capacitance
Note:
1
DS-5560 Rev 0.0 2009-06-02
Receptacle
TOSA
Pigtail
Symbol
Ith
Min.
-
0.2
0.5
1
2
1290
-
Typ.
10
-
-
1.6
2.5
1310
2
-
-
1.2
-
-
-
-
6
Max.
15
0.5
1
-
-
1330
5
3
3
1.5
0.3
1.5
-
0.1
15
Unit
mA
Notes
CW
P
f
mW
CW, Ith+20mA, kink free
λ
Δλ
nm
CW, Pf = Pf(Min)
CW, Pf = Pf(Min)
CW, Pf = Pf(Min)
Ibias =Ith, 10%~90%
APC, -40 ~ 85℃
CW, P
f
= P
f
(Min), V
RPD
= 2V
V
RPD
= 5V
V
RPD
= 5V, f = 1MHz
-
-
-
-
-1.5
100
-
-
nm
V
F
T
r
/ T
f
ΔP
f
/P
f
I
m
I
dark
C
t
V
ns
dB
μ
A
μ
A
pF
一道面试题求解
362253 试分析电路中c133的作用。谢谢! ...
chenbingjy 模拟电子
STM32外部扩展RAM
各位大侠,现在想STM32的内部RAM不够用,想扩展一片外部的SRAM,编译平台使用IAR FOR ARM 5.30,发现使用配置文件stm32f10x_flash_extsram.icf后,编译出来的文件没有使用内部的RAM,现在的 ......
cgl123456 stm32/stm8
SMPSIGBT在各种变换器应用中优于MOSFET
SMPSIGBT在各种变换器应用中优于MOSFET IGBT的主要特点是具有低导通损耗和大电流密度,但在其于1982年问世之后的十几年中,开关速度远没有功率MOSFET快,故在高频开关型电源(SMPS)应用领域中 ......
zbz0529 模拟电子
【CN0104】采用AD5522及AD7685 的ATE 应用参数测量单元和支持器件
电路功能与优势 本电路由一个四通道参数测量单元(PMU)和支持器件组成,可用于最少四个受测器件(DUT)通道。PMU 通道通常由数个DUT 通道共用。虽然 AD5522 高度集成并能提供四通道的完整 PMU 解决 ......
EEWORLD社区 ADI 工业技术
TI BQ24086应用于小米手机电池充电器原理图
首先上小米手机充电器产品原理图给网友分享囖。 105019 图是充电板正面全图: 105020 下图是充电板上面的充电芯片细节图及说明,也是该座充的核心部分+ 105021 中间红色框中的充电器管 ......
qwqwqw2088 模拟与混合信号
MSP430单片机存储器结构总结
MSP430 内部存储器的类型有:程序存储器 FLASH、数据存储器 RAM、外围模块寄存器、特殊功能寄存器。典型微型计算机的存储器都是采用冯•诺依曼结构,也称普林斯顿结构,即存放程序指令的存 ......
fish001 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2554  683  2900  347  2693  22  59  1  52  57 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved