GS8322ZV18E-133T,GS8322ZV18E-133T pdf中文资料,GS8322ZV18E-133T引脚图,GS8322ZV18E-133T电路-Datasheet-电子工程世界

GS8322ZV18E-133T: 产品描述ZBT SRAM, 2MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共39页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/

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GS8322ZV18E-133T概述

ZBT SRAM, 2MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	BGA
包装说明	LBGA,
针数	165
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	8.5 ns
其他特性	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
长度	17 mm
内存密度	37748736 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	165
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.6 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15 mm
Base Number Matches	1

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