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GS8662Q37BD-300IT

产品描述DDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
产品类别存储    存储   
文件大小390KB,共28页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS8662Q37BD-300IT概述

DDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

GS8662Q37BD-300IT规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明LBGA, BGA165,11X15,40
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间0.45 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)300 MHz
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e0
长度15 mm
内存密度75497472 bit
内存集成电路类型DDR SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大待机电流0.265 A
最小待机电流1.7 V
最大压摆率1.07 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度13 mm
Base Number Matches1
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