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IDT6168LA35L

产品描述Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, CQCC20, LCC-20
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文件大小251KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT6168LA35L概述

Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, CQCC20, LCC-20

IDT6168LA35L规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码QLCC
包装说明LCC-20
针数20
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CQCC-N20
JESD-609代码e0
长度10.8585 mm
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX4
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装等效代码LCC20,.3X.43
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.905 mm
最小待机电流2 V
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度7.366 mm
Base Number Matches1
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