LVT SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, INVERTED OUTPUT, CDIP20
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP20,.3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 控制类型 | ENABLE LOW |
| 系列 | LVT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 |
| 长度 | 24.195 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.048 A |
| 位数 | 4 |
| 功能数量 | 2 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | INVERTED |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3.3 V |
| 最大电源电流（ICC） | 14 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 4.5 ns |
| 传播延迟（tpd） | 5.2 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| SNJ54LVTZ240J | SNJ54LVTZ240FK | |
|---|---|---|
| 描述 | LVT SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, INVERTED OUTPUT, CDIP20 | LVT SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, INVERTED OUTPUT, CQCC20 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP20,.3 | QCCN, LCC20,.35SQ |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
| 控制类型 | ENABLE LOW | ENABLE LOW |
| 系列 | LVT | LVT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 | S-CQCC-N20 |
| 长度 | 24.195 mm | 8.89 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER | BUS DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.048 A | 0.048 A |
| 位数 | 4 | 4 |
| 功能数量 | 2 | 2 |
| 端口数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 20 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 输出极性 | INVERTED | INVERTED |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | QCCN |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V |
| 最大电源电流（ICC） | 14 mA | 14 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 4.5 ns | 4.5 ns |
| 传播延迟（tpd） | 5.2 ns | 5.2 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 2.03 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 技术 | BICMOS | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm | 8.89 mm |
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