DDR DRAM, 512KX32, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | QFP |
| 包装说明 | TQFP, TQFP100,.7X.9,25 |
| 针数 | 100 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 6.5 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 100 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 20 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 100 |
| 字数 | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 65 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 512KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TQFP |
| 封装等效代码 | TQFP100,.7X.9,25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 2.5,3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.002 A |
| 最大压摆率 | 0.26 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 14 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| KM432D5131TQ-G0 | KM432D5131TQ-G7 | KM432D5131TQ-G8 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | DDR DRAM, 512KX32, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100 | DDR DRAM, 512KX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100 | DDR DRAM, 512KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | QFP | QFP | QFP |
| 包装说明 | TQFP, TQFP100,.7X.9,25 | TQFP, TQFP100,.7X.9,25 | TQFP, TQFP100,.7X.9,25 |
| 针数 | 100 | 100 | 100 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 6.5 ns | 5.5 ns | 6 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 100 MHz | 143 MHz | 125 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| 交错的突发长度 | 2,4,8 | 2,4,8 | 2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 20 mm | 20 mm | 20 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 32 | 32 | 32 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 100 | 100 | 100 |
| 字数 | 524288 words | 524288 words | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 | 512000 | 512000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 65 °C | 65 °C | 65 °C |
| 组织 | 512KX32 | 512KX32 | 512KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TQFP | TQFP | TQFP |
| 封装等效代码 | TQFP100,.7X.9,25 | TQFP100,.7X.9,25 | TQFP100,.7X.9,25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK, THIN PROFILE | FLATPACK, THIN PROFILE | FLATPACK, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 2.5,3.3 V | 2.5,3.3 V | 2.5,3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 | 1024 | 1024 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES | YES | YES |
| 连续突发长度 | 2,4,8,FP | 2,4,8,FP | 2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.002 A | 0.002 A | 0.002 A |
| 最大压摆率 | 0.26 mA | 0.34 mA | 0.3 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 14 mm | 14 mm | 14 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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