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KM68V512BLTGI-8L

产品描述Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32
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文件大小172KB,共9页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM68V512BLTGI-8L概述

Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32

KM68V512BLTGI-8L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TSOP1
包装说明TSOP1, TSSOP32,.56,20
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间85 ns
其他特性BATTERY BACKUP
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度11.8 mm
内存密度524288 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP32,.56,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最小待机电流2 V
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm
Base Number Matches1
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