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M95128-SBN6

产品描述16KX8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.25 MM LEAD FRAME, PLASTIC, DIP-8
产品类别存储    存储   
文件大小203KB,共37页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M95128-SBN6概述

16KX8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.25 MM LEAD FRAME, PLASTIC, DIP-8

M95128-SBN6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIP
包装说明0.25 MM LEAD FRAME, PLASTIC, DIP-8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)2 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e3
长度9.27 mm
内存密度131072 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数16384 words
字数代码16000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.33 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流3e-7 A
最大压摆率0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches1

M95128-SBN6相似产品对比

M95128-SBN6 M95128-SMN6T M95128-SDL6T M95128-WDL3 M95128-SDL6
描述 16KX8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.25 MM LEAD FRAME, PLASTIC, DIP-8 16KX8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8 16KX8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO14, 0.169 INCH, TSSOP-14 16KX8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO14, 0.169 INCH, TSSOP-14 16KX8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO14, 0.169 INCH, TSSOP-14
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP SOIC TSSOP TSSOP TSSOP
包装说明 0.25 MM LEAD FRAME, PLASTIC, DIP-8 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8 0.169 INCH, TSSOP-14 0.169 INCH, TSSOP-14 0.169 INCH, TSSOP-14
针数 8 8 14 14 14
Reach Compliance Code compliant compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 2 MHz 2 MHz 2 MHz 5 MHz 2 MHz
数据保留时间-最小值 40 40 40 40 40
耐久性 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G14 R-PDSO-G14 R-PDSO-G14
JESD-609代码 e3 e4 e0 e0 e0
长度 9.27 mm 4.9 mm 5 mm 5 mm 5 mm
内存密度 131072 bit 131072 bit 131072 bit 131072 bit 131072 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 14 14 14
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 125 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 16KX8 16KX8 16KX8 16KX8 16KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP TSSOP TSSOP TSSOP
封装等效代码 DIP8,.3 SOP8,.25 TSSOP14,.25 TSSOP14,.25 TSSOP14,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2/3.3 V 2/3.3 V 2/3.3 V 3/5 V 2/3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.33 mm 1.75 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
串行总线类型 SPI SPI SPI SPI SPI
最大待机电流 3e-7 A 3e-7 A 3e-7 A 0.000002 A 3e-7 A
最大压摆率 0.001 mA 0.001 mA 0.001 mA 0.001 mA 0.001 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 5.5 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 2.5 V 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 3.3 V 2.5 V
表面贴装 NO YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL AUTOMOTIVE INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 3.9 mm 4.4 mm 4.4 mm 4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms 10 ms 5 ms 10 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE
厂商名称 - - ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)

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