SK26A: 产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 150V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小163KB，共2页; 制造商Fagor Electrónica; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

SK26A在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	SK26A	-	-	点击查看	点击购买

SK26A概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 150V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN

SK26A规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	DO-214AC
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN
针数	2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
应用	GENERAL PURPOSE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AC
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
JESD-609代码	e3
最大非重复峰值正向电流	50 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	150 V
表面贴装	YES
技术	SCHOTTKY
端子面层	TIN
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

SK24A ........ SK215A

2.0 Amp. Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

CASE:

SMA/DO-214AC

Voltage

40 V to 150 V

Current

2.0 A

For surface mounted application

Metal to silicon rectifier, majority carrier conduction

Low forward voltage drop

Easy pick and place

High surge current capability

Plastic material used carriers Underwraiters

Laboratory Classification 94V-0

Epitaxial construction

High temperature soldering:

260 ºC / 10 seconds at terminals

MECHANICAL DATA

XX = Marking code

WW = Week code

Y = Year code

Dimensions in mm.

Case: Molded plastic

Terminals: Pure tin plated, lead free.

Polarity: Indicated by cathode band

Packaging: 12 mm tape per EIA-STD RS-481.

Weight: 0.093 gram

Maximum Ratings and Electrical Characteristics at 25 ºC

Marking code

24A

26A

2.0 A

50 A

210A

100

215A

150

105

150

RRM

RMS

F(AV)

FSM

stg

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage (V)

Maximum RMS Voltage (V)

Maximum DC Blocking Voltage (V)

Maximum Average Forward Rectified Current at

(See graphic)

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single

Half Sine-wave Superimposed on Rated

Load (JEDEC Method)

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

-65°C to +125°C

-65°C to +150°C

Electrical Characteristics at Tamb = 25 °C

thj-a

NOTES:

Maximum Instantaneous Forward Voltage

@ 2.0 A

Maximum DC Reverse Current (Note 1) T

= 25 °C

at Rated DC Blocking Voltage

Typical Thermal Resistance

=125°C

(Note 2)

0.5 V

0.5 mA

10 mA

0.7 V

0.85 V

0.95 V

0.1 mA

2.0 mA

88 °C/W

5.0 mA

1. Pulse Test With PW = 300 µsec, 1% Duty Cycle

2. Measured on P.C. Board with 5mm x 5mm Copper Pad Areas.

Nov - 08

SK26A相似产品对比

	SK26A	SK215A	SK210A	SK24A
描述	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 150V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	DO-214AC	DO-214AC	DO-214AC	DO-214AC
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN
针数	2	2	2	2
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AC	DO-214AC	DO-214AC	DO-214AC
JESD-30 代码	R-PDSO-C2	R-PDSO-C2	R-PDSO-C2	R-PDSO-C2
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3
最大非重复峰值正向电流	50 A	50 A	50 A	50 A
元件数量	1	1	1	1
相数	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
最高工作温度	125 °C	150 °C	150 °C	125 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	2 A	2 A	2 A	2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	150 V	60 V	40 V	100 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY
端子面层	TIN	TIN	TIN	TIN
端子形式	C BEND	C BEND	C BEND	C BEND
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

推荐资源

负序电流断相保护电路之二

重负载启动热继电器保护电路之五

高音质前置放大器

全对称MOS FET 100W hi-fi放大器01

汽车常用的集成稳压器应用电路02

电桥激励电源电路图

我允许你走进我的世界,但不许你在我的世界里走来走去..: 我允许你走进我的世界,但不许你在我的世界里走来走去.. 1.对自己好点，因为一辈子不长；对身边的人好点，因为下辈子不一定能够遇见！ 2.对不起是一种真诚，没关系是一种风度。如果你付出了 ......; 沙漠里的水聊聊、笑笑、闹闹

AD中要线路板上表面的圆内不上绿油，是在TOPSOLDER层画个实心圆还是画个圆环: AD中要线路板上表面的圆内不上绿油，是在TOPSOLDER层画个实心圆还是画个圆环？如下图所示 644843 ...; 一沙一世 stm32/stm8

【技术贴】如何面试工程师类专业职位: 在天涯闲逛的时候看到有人发了一篇工程师怎么面试的文章，写的挺对路的，并且从职业规划、简历撰写、面前准备、面试礼仪和逻辑思维什么的各方面都有涉猎，还算全面，挪来给大家观摩下。这两天 ......; xiaoniaoniao 工作这点儿事

定时器产生的中断请求，如何获取来响应自己的程序呢？: 定时器产生的中断请求，如何获取来响应自己的程序呢？我想利用定时器在指定的时间到达时，执行我写的一段程序，怎么获取定时器的这个中断呢? 有例程最好，我不知道这个过程如何写，是不是中 ......; nicoyu 嵌入式系统

苹果再遭抗议：iPhone生产在毒害150万工人: 144106 腾讯科技小贝 3月13日编译苹果在劳工方面的行为再次遭到两个劳工保护团体的批评和抗议，他们指责苹果iPhone生产过程中含有有毒化学物，威胁到中国工厂里组装工人的身体健康。 “中 ......; 通通消费电子

关于GND电平是否稳定的问题: 电池供电的产品，如果要确定整个板子的GND是否电压很稳，也就是类似于220V的零线本来是0V，而有些零线居然有几十V的电压！这个GND的电平是否稳定在0V是否是纯净的地这对一个产品的稳定性可靠性 ......; QWE4562009 51单片机

STM32F4编程手册学习2_内存模型

1. 内存映射 MCU将资源映射到一段固定的4GB可寻址内存上，如下图所示。内存映射将内存分为几块区域，每一块区域都有一个定义的内存类型，一些区域还有一些附加的内存类型。内存类型有以下几种： Normal 处理器可以为了性能而对访问该区域的任务进行重排序。 Device 处理器保证访问该内存的任务与其他访问Device或者Stronly-ordered内存的任务相对顺序不变。 Str...[详细]
USART波特率 vs SPI速率--学习笔记

　　本篇文章将与大家探讨USART波特率 vs SPI速率。这里提出一个问题，为什么USART的波特率是内核时钟的1/8或者1/16，而SPI最快的频率可以是内核时钟的1/2。　　请大家带着这个问题来阅读本文。　　　　串口和SPI内部时钟　　在回答上面问题之前，需要先了解STM32内部时钟的概念，尤其是串口和SPI的内部时钟。　　STM32里包含有系统时钟、AHB时钟和APB时钟...[详细]
stm32学习笔记之串口通信

　　在基础实验成功的基础上，对串口的调试方法进行实践。硬件代码顺利完成之后，对日后调试需要用到的printf重定义进行调试，固定在自己的库函数中。　　b) 初始化函数定义：　　void USART_Configuration(void); //定义串口初始化函数　　c) 初始化函数调用：　　void UART_Configuration(void); //串口初始化函数调用　　初始化代...[详细]
工业机械异常检测

您怎么知道一台机器是否在正常运行？问题的回答是：通过利用深度学习来检测工业机器的常规振动数据中的异常情况。异常检测有很多用途，而尤其在预测性维护中特别有用。这个深度学习的例子讲的是基于双向长短期记忆网络（biLSTM）的自动编码器。虽然这个词很拗口，但它仅表示训练网络来重构“正常”数据。这样，当我们给算法提供一些看起来不同的数据时，重构错误会提示您机器可能需要维护。当您所拥有的数据均为“正...[详细]
基于TGW 的整车OTA 系统安全设计

摘要：随着智能汽车电子电气架构的复杂化，整车电控部件全生命周期管理面临多重挑战：传统基于诊断仪的现场刷写方案存在人工依赖度高、操作效率低的问题，而现有远程升级（OTA）技术则面临车载通信模块分立部署导致的硬件冗余及协议传输效率不足的瓶颈。文章提出一种集成式车载网关（TGW）架构，通过融合传统车载T-BOX（Telematics Box）与车载Gateway 功能，在硬件层面实现模块整合以消除冗...[详细]
新能源动力电池“三高”关键材料与技术分析和研究

前段时间参加了中国化学会第四届能源化学论坛学习了关于高比能高安全电池相关信息，再次总结和大家分享。全球新能源汽车（纯电和插混）销售量，2023年为1465万辆，2024年1823万辆。中国新能源汽车发展，迈入全球化的高质量发展新阶段，2023年新能源汽车累计销量950万辆，全球占比达到64.8，2024年累计销量达到1286万辆，全球占比70.5%。 2024年全球锂电池产量达...[详细]
汽车网络安全破局之战：CyberMan 赋能信息安全高效开发与未来升级

随着科技的飞速发展，汽车智能化正在以前所未有的速度提升，这不仅增强了汽车的功能性和舒适性，同时也对网络安全提出了更高的要求。汽车智能化的提升，直接带动了网络安全需求的增长，传统依赖Excel、邮件流转与碎片化工具的网络安全流程已不堪重负。面对ISO/SAE 21434，UN R155/R156等全球性法规强制合规压力与日益复杂的攻击面，行业正陷入“合规成本激增、专业人才缺口扩大”的双...[详细]
莱迪思将举办关于最新小型、低功耗FPGA创新的网络研讨会

中国上海——2025年8月26日——莱迪思半导体公司，低功耗可编程器件的领先供应商宣布，公司将举办网络研讨会，探讨其基于屡获殊荣的Lattice Nexus™ FPGA产品系列的小型FPGA的最新扩展。本次直播将对新推出的莱迪思Certus™-NX和莱迪思MachXO5™-NX FPGA器件进行深入的技术介绍，这些新拓展的器件提供了高I/O密度、低功耗和增强的安全功能。莱迪思专家还将介...[详细]
浅谈液晶电视电磁兼容设计技术

液晶电视结构主要包括：液晶显示模块，电源模块，驱动模块(主要包括主驱动板和调谐器板)以及按键模块。一般液晶显示模块由生产厂商在生产前已经完成EMC的测试。这里主要介绍一下设计电源模块、驱动模块、按键模块,以及整机设计时应注意的电磁干扰问题。电磁兼容(EMC)是液晶电视设计中不可避免的重要问题。如果EMC设计不好，将会导致电视在播放的过程中出现水波纹以及频闪等问题，严重时将会导致无法收看。E...[详细]
LED损坏原因及延长寿命方法讨论

　　白光LED属于电压敏感型的器件，在实际工作中是以20mA的电流为上限，但往往会由于在使用中的各种原因而造成电流增大，如果不采取保护措施，这种增大的电流超过一定的时间和幅度后LED就会损坏。　　造成LED损坏的原因主要有：　　①供电电压的突然升高。　　②线路中某个组件或印制线条或其他导线的短路而形成LED供电通路的局部短路，使这个地方的电压增高。　　③某个LED因为自身的质量原因损...[详细]
2025人形机器人和智能汽车协同发展分析报告

核心观点：汽车产业链与人形机器人产业具备硬件、软件、场景多方面协同优势，汽车产业链上下游企业从本体、传感器、执行器、材料多个环节赋能人形机器人，助力人形机器人迎来量产落地。汽车产业链与人形机器人产业具备协同优势汽车产业链与人形机器人产业具备硬件协同优势。传感器方面，智能汽车的多传感器融合在机器人领域实现技术复用；芯片方面，车规级智驾芯片的强算力与低功耗特性为机器人提供AI 算力支持；...[详细]
智驭未来出行，臻测安全新境：罗德与施瓦茨亮相汽车测试盛会ATE 2025

8月27日，汽车测试及质量监控博览会(以下简称“ATE 2025”)即将拉开帷幕。罗德与施瓦茨（以下简称“R&S”）在本次展会上，围绕“智驭未来出行，臻测安全新境”主题，展示汽车测试相关六大解决方案，覆盖车外通信、车内网络、车外感知、以及整车验证等全测试场景。R&S旨在通过前沿、精准且高度可靠的测试解决方案，为智能网联汽车从研发到量产的每一环节提供强大的技术支撑，助力客户克服新技术挑战、提升安全...[详细]
stm32内部Flash的读写操作

stm32的产品都有内置Flash，而且不同系列的产品其内置Flash的大小不尽相同，结构上也有差异，本文将对stm32f07x，stm32f10x，stm32f40x的内置Flash结构，以及如何进行读写操作做一个介绍。一、特性与构成 1.stm32f07x系列 2、stm32f10x系列　　　　　　　　　　3、stm32f40x系列　...[详细]
stm32相关笔记——ADC部分

我们在学习一门技术的时候，应该对它的理论部分有所了解，然后才能在实践中进一步加深理解，进而掌握。对于stm32来说，我认为学习的时候应该先仔细阅读相关的参考手册，然后再动手实践，这样才能理解得更加透彻，掌握得更加牢固！今天记录一下我学习stm32的ADC部分的了解。 1.介绍小结：stm32的ADC有18个通道（16个外部通道+2个内部通道），有单次、连续、扫描和间断四种模式，ADC...[详细]
智能手机发展趋势及设计中需要注意的问题

　　智能手机如今已成为人们必备的数码设备，以智能手机为中心日益繁多的应用，也在逐渐丰富着人们的生活。作为使用者，手机用户希望有更好的应用体验，更多的应用选择。从iPhone6、华为MATE7、三星GALAXY Note 4、S6及努比亚Z9等几款较新的机型可以看出，手机厂商在采用更高性能的处理器以提升整机性能的同时，也更加注重向用户提供新的应用体验。一些新的应用如健康及医疗相关的功能、移动支付、...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多