Flash, 1MX32, 54ns, PQFP80, PLASTIC, MO-108CB-1, QFP-80
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | PLASTIC, MO-108CB-1, QFP-80 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
最长访问时间 | 54 ns |
其他特性 | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK |
启动块 | BOTTOM |
命令用户界面 | YES |
通用闪存接口 | YES |
数据轮询 | YES |
JESD-30 代码 | R-PQFP-G80 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 20 mm |
内存密度 | 33554432 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 16,62 |
端子数量 | 80 |
字数 | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 1MX32 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QFP |
封装等效代码 | QFP80,.7X.9,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
电源 | 1.8/2.6,2.6 V |
编程电压 | 2.7 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
座面最大高度 | 3.35 mm |
部门规模 | 2K,16K |
最大待机电流 | 0.00006 A |
最大压摆率 | 0.09 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2.75 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.6 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
切换位 | YES |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 14 mm |
Base Number Matches | 1 |
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