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HYS64T128020GU-3.7-A

产品描述DRAM
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文件大小1MB,共67页
制造商QIMONDA
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HYS64T128020GU-3.7-A概述

DRAM

HYS64T128020GU-3.7-A规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1

HYS64T128020GU-3.7-A相似产品对比

HYS64T128020GU-3.7-A HYS72T64000GU-3.7-A HYS64T32000GU-5-A HYS64T64000GU-5-A HYS64T128020GU-5-A HYS64T32000GU-3.7-A
描述 DRAM Memory IC, 64MX72, CMOS, PDMA240 DDR DRAM Module, 32MX64, 0.6ns, CMOS, PDMA240 DDR DRAM Module, 64MX64, 0.6ns, CMOS, PDMA240 DRAM DDR DRAM Module, 32MX64, 0.5ns, CMOS, PDMA240
包装说明 , DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 , DIMM, DIMM240,40
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 - 0.5 ns 0.6 ns 0.6 ns - 0.5 ns
最大时钟频率 (fCLK) - 267 MHz 200 MHz 200 MHz - 267 MHz
I/O 类型 - COMMON COMMON COMMON - COMMON
JESD-30 代码 - R-PDMA-N240 R-PDMA-N240 R-PDMA-N240 - R-PDMA-N240
内存密度 - 4831838208 bit 2147483648 bit 4294967296 bit - 2147483648 bit
内存宽度 - 72 64 64 - 64
端子数量 - 240 240 240 - 240
字数 - 67108864 words 33554432 words 67108864 words - 33554432 words
字数代码 - 64000000 32000000 64000000 - 32000000
最高工作温度 - 55 °C 55 °C 55 °C - 55 °C
组织 - 64MX72 32MX64 64MX64 - 32MX64
输出特性 - 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 - DIMM DIMM DIMM - DIMM
封装等效代码 - DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40 - DIMM240,40
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 - 1.8 V 1.8 V 1.8 V - 1.8 V
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
刷新周期 - 8192 8192 8192 - 8192
最大压摆率 - 1.26 mA 0.84 mA 1.04 mA - 0.88 mA
标称供电电压 (Vsup) - 1.8 V 1.8 V 1.8 V - 1.8 V
表面贴装 - NO NO NO - NO
技术 - CMOS CMOS CMOS - CMOS
温度等级 - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL
端子形式 - NO LEAD NO LEAD NO LEAD - NO LEAD
端子节距 - 1 mm 1 mm 1 mm - 1 mm
端子位置 - DUAL DUAL DUAL - DUAL
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