Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN1115FV

文档预览

RN1115FV: 产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小548KB，共8页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

RN1115FV概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN1115FV规格参数

参数名称	属性值
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.54
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	50
JESD-30 代码	R-PDSO-F3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.15 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

RN1114FV∼RN1118FV

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1114FV, RN1115FV, RN1116FV, RN1117FV, RN1118FV

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

Built-in bias resistors

Simplified circuit design

0.22 ± 0.05

Unit in mm

1.2 ± 0.05

Reduced quantity of parts and manufacturing process

Complementary to RN2114FV~RN2118FV

0.8 ± 0.05

1.2 ± 0.05

0.4

0.13 ± 0.05

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

RN1114FV

RN1115FV

RN1116FV

RN1117FV

RN1118FV

R1 (kΩ)

2.2

4.7

R2 (kΩ)

4.7

0.5 ± 0.05

VESM

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

Weight: 0.0015 g (typ.)

―

2-1L1A

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

RN1114FV~1118FV

RN1114FV

RN1115FV

Emitter-base voltage

RN1116FV

RN1117FV

RN1118FV

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN1114FV~1118FV

(Note)

stg

EBO

Symbol

CBO

CEO

Rating

100

150

−55~150

Unit

0.5mm

0.45mm

0.4mm

°C

Note: Mounted on FR4 board

(25.4

25.4 mm

1.6 mmt)

2004-06-28

0.32 ± 0.05

0.80 ± 0.05

RN1115FV相似产品对比

	RN1115FV	RN1117FV	RN1116FV	RN1118FV	RN1114FV
描述	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.54	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.12	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	50	30	50	50	50
JESD-30 代码	R-PDSO-F3	R-PDSO-F3	R-PDSO-F3	R-PDSO-F3	R-PDSO-F3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.15 W	0.15 W	0.15 W	0.15 W	0.15 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz
厂商名称	-	-	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)

推荐资源

数学不是公式，而是一种思维: 算法跟数学公式没太大的关系，算法讲究的是逻辑思维能力，其中重点在逻辑思维，不是各种公式，涉及到的数学公式只是都相当简单的小儿科。相信你能学好的。数学不是必须学好的，但是学好数学对理 ......; Aguilera DSP 与 ARM 处理器

miniGUI（扫盲贴）: 详见http://baike.baidu.com/view/192083.htm 中国人自己做的GUI，...; 范小川嵌入式系统

【众筹】大家愿意帮我完成一个430实验板吗？: 本帖最后由 calom1992 于 2014-5-13 22:11 编辑一、自我介绍论坛里的各位前辈、同学，你们好。我是西安理工大学的一名大二学生，电子信息工程专业。一年前接触51单片机，当时给我的那种震撼 ......; calom1992 微控制器 MCU

【2022得捷电子创新设计大赛】K210驱动串口: 这次准备的作品是准备用迪文屏做核酸检测登记站的作品，首先要解决的是串口通讯的问题，今天抽空熟悉一下开发板，学习了一下K210的基本操作：首先是学习串口的IO配置，首先在官网找到资料： ......; lugl4313820 DigiKey得捷技术专区

3G带来的那点事儿（漫画）: 前日看到一个搞笑视频，前90%的画面都在叙述一个男子看到自己的手机铃响起，随后在购物中心狂奔，经过万难险阻终于奔到床上用品销售区，以迅雷不及掩耳之势躺在床上，装出一副病态，并打开自己 ......; 笨妮聊聊、笑笑、闹闹

关于ispVM System烧片的一个问题: 准备为一块cpld芯片下载程序，型号为LC4032V，使用的是Lattice公司的ispDOWNLOAD Cables HW-USB-2A下载线。power和target两个灯都亮的。使用ispVM System的scan chain功能时跳出"ispDOWNLOAD ca ......; nvshen230 FPGA/CPLD

远程自动报警系统的设计与实现

随着国家智能化小区建设的推广，防盗系统已成为智能小区的必备设备，特别是近几年，安全防范的迫切需要给家庭防盗报警系统提供了越来越广泛的市场。从国内来看，比较高档的防盗报警装置一般为进口产品，价格昂贵，且大多为有线连接方式。国内产品尽管不少，但大多为模拟电路形式，且结构和功能简单，可靠性差，难以联网。在已普及的公共电话网基础上研制一种新型家用自动报警系统，这对于保障居民的生命财产安全，提高公安、...[详细]
模拟串口的C语言代码

本程序是模拟串口硬件机制写的，使用时可设一定时中断，时间间隔为1/4波特率，每中断一次调用一次接收函数，每中断4次调用一次发送函数,不过.对单片机来说时钟并须要快.要知道9600的波特率的每个BIT的时间间隔是104us.而单片机中断一次压栈出栈一次的时间是20us左右(标准的51核12M晶体)这样处理时间就要考虑清楚了.呵呵.以下程序是放在定时器中断程序函数内的 //接收部分 sbit ...[详细]
基于倾角传感器设计的帆船姿态仪

　　帆船运动越来越受到人们的重视，如何利用现代科技手段辅助训练，来提高比赛成绩显得尤为重要。从赛场实时采集数据指导训练和减轻帆船教练工作强度方面考虑，设计帆船姿态仪，可使教练员了解每位运动员具体的训练细节，提高工作效率。　　1 帆船姿态仪的系统设计　　基于PIC16F877A设计的帆船姿态仪，能采集帆船行驶过程中的前后仰俯角、左右摇摆角、桅杆旋转角和GPS系统记录帆船行驶轨迹。系统每...[详细]
无源互调测量及解决方案

　　1、概述　　无源器件会产生非线性互调失真吗?答案是肯定的!尽管还没有系统的理论分析，但是在工程中已经发现在一定条件下无源器件存在互调失真，并且会对通信系统（尤其是蜂窝系统）产生严重干扰。　　无源互调（Passive Inter-Modulation，PIM）是由发射系统中各种无源器件的非线性特性引起的。在大功率、多信道系统中，这些无源器件的非线性会产生相对于工作频率的更高...[详细]
一种手持公交收费及信息统计装置的设计与实现

目前城市的交通拥堵现象比较严重。据有关新闻报道：在我国，交通拥堵现象己经从北京、上海、广州等特大城市扩展到一些大中城市：由城市内部局部的“点”拥堵，扩展成局部的“面”拥堵。在居民出行的早晚高峰时，拥堵现象更为明显，城市道路处于明显的饱和状态。据有关部门统计，我国因城市交通的不便，造成的经济损失每年都能达上千亿元。世界各国都非常重视公共交通的发展在解决城市交通拥挤问题上的作用，公交优先的原则也已成...[详细]
电动汽车“无线”充电桩或于2015年亮相

鉴于电动汽车充电必须通过插入电线完成的现状，部分企业已经开始研发电动汽车“无线”充电设施，为消费者消除“有线”充电带来的不便。这种新型“无线”充电桩有望于2015年面世。思迈汽车信息咨询公司(IHS Automotive) 分析师Phil Gott表示，根据部分沃蓝达和日产聆风车主的回馈信息，很多人抱怨电动汽车充电电线难于清洗，且容易缠绕在一起。发展无线充电桩能让消费者省去这些烦恼。 ...[详细]
利用LabVIEW实时模块缩减F-35战斗机的测试成本与时间

便携式数字数据采集系统（PDDAS）使用了LabVIEW实时模块和PXI，以控制风洞测试和采集记录来自128个不同通道的空气压力数据 "通过LabVIEW实时模块，可以在各种操作情况下获得采集空气压力数据及向风洞提供反馈控制信号所需的确定性响应时间。" – Dave Scheibenhoffer, G Systems 挑战: 用一个可采集、分析和存储来自下一代喷气式战斗机引擎设计的动...[详细]
摩托罗拉移动遭谷歌“雪藏”：未来命运待解

摩托罗拉移动遭谷歌“雪藏” 　　新浪科技罗亮　　上个月月底，谷歌在美国旧金山举行开发者大会，会上谷歌新一代Andriod操作系统，Nexus 7平板电脑、Nexus Q播放器及谷歌眼镜等3款硬件产品大放异彩。而当谷歌宣布Nexus 7平板电脑由谷歌与华硕合作研发而成的时候，估计有人会有疑问：为什么不是摩托罗拉移动？　　虽然摩托罗拉移动的主要业务是手机，但该公司在平板电脑领域也并非...[详细]
《中国企业家》：李彦宏云端通话

只有将移动互联网和云计算结合起来，找到可行的商业模式，这个行业才有可能大发展　　文 | 本刊记者冀勇庆(微博) 　　已经到了6月底，百度移动·云事业部副总经理岳国峰(微博)正在急切地等待着联通的销售数据。上个月，百度与长虹(微博)、富士康合作，推出了一款非合约机价格仅为899元的云手机。合作伙伴们对这款手机寄予了厚望，联通旗下的联通华盛已经决定包销这款手机，将其与联通最低的66元3G...[详细]
台积电是否参股ASML 45天揭晓

半导体微影设备大厂艾司摩尔（ASML）向台积电发出投资邀约，业界评估，台积电是否答应参股，最快45天内，也就是8月底前就会揭晓。英特尔藉由投资ASML，企图取得20纳米以下微影设备技术领先地位，攸关台积电、三星未来先进制程的竞争态势，台积电参股态度如何，预料将成为19日法说会焦点。英特尔宣布投资ASML 15%股权，震撼半导体业界。 ASML也对台积电、三星发出投资邀约，是ASML第...[详细]
苹果App Store商店下架《保卫钓鱼岛》游戏

《保卫钓鱼岛》游戏截图《保卫钓鱼岛》游戏截图　　北京时间7月11日下午消息，苹果应用商店App Store已将深圳中青宝开发的手机游戏《保卫钓鱼岛》下架，但苹果并未对此作出解释。　　《保卫钓鱼岛》游戏一直在中文版苹果App Store商店销售，但周三却已消失。据《中国日报》报道，中青宝表示苹果方面并未对《保卫钓鱼岛》下架作出解释。报道称，该公司已向玩家表示道歉，目前正在与苹...[详细]
基于PWM的路灯节能装置的设计

　　1 引言　　随着城市现代化建设步伐的加快，社会对城市道路照明及城市亮化工程的要求也更高，国家明确要求要把节约资源作为国家的基本的国策，节能已成为社会发展的主流。　　本文设计了基于ATmega128处理器为核心搭建硬件平台，设计了PWM斩波调压电路，实现了对路灯电压的合理调节。电压自动调节电路主要以PWM斩波技术为核心，设计实际电路，调试获得成功，达到了降压的目的。针对在该种降压电路中...[详细]
DSP／BIOS在电能质量监测终端中的应用

　　DSP(数字信号处理器)在现今的工程应用中使用越来越频繁。其原因主要有三点：第一，它具有强大的运算能力，能够胜任FFT、数字滤波等各种数字信号处理算法；第二，各大DSP厂商都为自己的产品设计了相关的IDE(集成开发环境)，使得DSP应用程序的开发如虎添翼；第三，具有高性价比，相对于它强大的性能，不高的价格有着绝对的竞争力。　　TI为本公司的DSP设计了集成可视化开发环境CCS(Code...[详细]
利用模拟工具优化电路设计

我和同事在旅馆酒吧闲聊了一天。之前，我们已经会见了几位客户。我们都在思考着一个问题：我们会见的这些工程师怎么几乎一点都不了解模拟技术呢。我认为，这些应届毕业生设计工程师所掌握的模拟技术知识，与我们毕业时的前辈所了解的知识不同，仅此而已。我的同事却说：“如果他们不知道这些原理，而大学也不教授这些内容，那结果会怎么样呢？这些新毕业的工程师注定只能去找他们的前辈拷贝一份模拟设计原理图吗？” 我同事所...[详细]
ARM+DSP、AVR与C51的比较

单片机已经广泛运用于工业自动化控制、自动检测、便携式智能仪器仪表、军事、航空航天、家用电器、智能玩具、电力电子、机电一体化设备等领域，使得各类产品无论从功能，还是从精度以及其产品的质量方面都大幅度的提升，同时，设计的电路很简单、可靠性非常高、发生的故障次数较低、成本低廉等。单片机种类很多，本论文只针对ARM+DSP、 AVR和C51单片机的特点，从不同的侧面进行了比较和阐述。 1 单片机的介绍...[详细]

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多